SYSCOM

Tarjeta de Control y Detección Automática de Voltaje Control de encendido/apagado automático de inversores para aplicaciones de energía solar. Sistemas de alarma por bajo voltaje. Monitoreo de carga de batería. Características Principales Control automático para inversores energía solar Sistema..

Características Principales 12 V / 20 A para sistemas solares Temporizador programable de 30 minutos a 12 horas Protección de bajo voltaje para batería (desconecta la carga a 10.00Vcc) Diseño compacto y fácil instalación Indicadores LED de estado de panel y batería Funcionamiento Censa el volta..

Los tensores están diseñados para facilitar el proceso de añadir o liberar tensión en un cable y sin agregar estrés innecesario a los ojos de enganche del acoplamiento del cable. Características destacadas Tipo: Ojo - Gancho Fabricación: Acero forjado Recubrimiento: Galvanizado por inmersión en cal..

Descripción Tensor SYSCOM para montaje de gancho..

Descripción Terminal Macho E23061305 KEN..

Tornillo acero inoxidable M8*55 para montajes de módulos foto voltaicos * El uso de piezas individuales fuera de kits, para armado de estructuras a medidas es responsabilidad del instalador CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES DEL PRODUCTO Tornillo M8x55 en acero inoxidable resistente Diseñado para mo..

Características principalesTornillo de acero inoxidable resistente a corrosiónDimensiones precisas M8 x 65 mmCompatibilidad con módulos fotovoltaicosIdeal para estructuras personalizadasDiseñado para máxima durabilidadInformación técnicaMaterial: Acero inoxidableDimensiones: M8 x 65 mmAplicación: Mo..

La línea ALVARADO se fabrica y customiza a su medida en California. Los torniquetes de medio cuerpo ALVARADO, son equipos de la más alta calidad que se encuentran instalados en muchas aplicaciones alrededor del mundo, utilizados para conteo y control de flujo peatonal en sistemas de control de acces..

Alimentación primaria : 120 VcaAlimentación secundaria : 16.5 Vca, 40 VA*1 Año de Garantía. ..

Características Principales Transistor NPN epitaxial de silicio Frecuencia máxima de operación 30 MHz Tensión de colector 13.5 Vcc Potencia máxima de salida 70 Watt Encapsulado formato T-40E..

Características Principales Voltaje colector-base máximo: 500 V Corriente colector máxima: 15 A Potencia disipación colector: 80 W Encapsulado TO-3PB Temperatura de unión: 150 °C Alta velocidad de conmutación Alta confiabilidad Especificaciones Eléctricas VCBO: 500 V (VCEO: 400 V, VEBO: 7 V..

Transistor de Potencia MOSFET Tipo: Canal P Voltaje: 50 Volt Corriente: 18 Amp. Rds: 0.14 Ohm Potencia: 74 Watt Paquete: TO-220AB Aplicación: Analizador III Características Técnicas FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Current - Continuous..

Transistor de Silicio NPN de Alta Frecuencia, 470 MHz, 12.5 Vcc, 8.0 dB, 0.75 Watt, 79-04. CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES DEL PRODUCTO Transistor NPN de alta frecuencia para 470 MHz Tensión operativa de 12.5 VCC Ganancia de 8.0 dB para amplificación eficaz Potencia máxima de 0.75 watt Modelo compa..

Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E Transistor NPN epitaxial de silicio altamente eficiente para aplicaciones de amplificación de señal en radiofrecuencia. Características principales Frecuencia de operación hasta 27 MHz Soporta voltaje máximo de 12 Vcc Potencia ..

Características Principales Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF Frecuencia de operación entre 2 y 30 MHz Manejo de potencia hasta 12.5 Watts Voltaje de colector-emisor hasta 12.5 VCC Encapsulado estándar 211-07 para fácil montaje Especificaciones Técnicas Tipo: Transistor de Silic..

Características Principales Transistor de silicio NPN de alta frecuencia Rango de frecuencias: 30-500 MHz Tensión de colector-emisor hasta 28 Vcc Ganancia de 10 dB para amplificación eficaz Potencia máxima de salida: 125 Watt Máximos Permisibles VCEO: 30 Vdc VCBO: 60 Vdc VEBO: 4.0 Vdc IC: 1..

Transistor Diodo SCR de 25 Amper, 20 Watt para Fuentes ASTRON Convencionales RS-12A y RS-20A. Marca: SYSCOMModelo: MCR225 Características Principales Transistor SCR soporta corriente hasta 25 amp Optimizado para fuentes convencionales RS-12A y RS-20A Diodo integrado para protección y estabilida..

Descripción General TRANSISTOR EMP3001..

Transistor MOSFET MFE-130 Doble Puerta, Canal N, 105 MHz, TO-18. Características Principales Transistor MOSFET de doble puerta para alta eficiencia Canal N para control preciso del flujo eléctrico Banda de frecuencia máxima de 105 MHz Encapsulado TO-18 compacto y robusto Excelente aislamiento c..

Características Principales Transistor NPN de potencia RF de silicio Frecuencia operativa de hasta 30 MHz Tensión de colector-emisor de 13.6 VCC Capacidad de corriente de 4.0 Amperios Potencia de salida máxima de 10 Watt Máximos Ratings IC: 4.0 A VCE: 18 V VCB: 48 V PD: 10 W @ TC = 25 °C TS..